广西三极管厂家

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电子三极管 Triode （俗称 电子管的一种）
双极型 晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型 场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称
V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为 单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）
其中J型场效应管是非绝缘型 场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管。

VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，

从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别

常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，

底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

特性
1、通态特性：大注入下基区和集电区发生调制效应，通态压降很低
2、开关特性：关断过程中的电流集中现象：由于基区存在自偏压效应，在晶体管关断过程中使发射极边缘部分反偏，边缘关断而中心仍导通，于是出现电流集中现象
3、二次击穿特性，和所有继电器一样。值得说明的是当次雪崩击穿后，加在BJT上的能力超过临界值才产生二次击穿，也就是说二次击穿需要能量。
主要参数
1、额定电压。
2、电流定额：集电极大电流Icm，集电极持续电流Ic。
3、集电极大耗散功率：Pcm（管壳为25℃时）。
4、高结温Tmj（一般为150℃）。
5、开关时间：开通时间、存储时间、下降时间。