甘肃中高压MOS管厂家，金属—氧化物—半导体

来源：深圳市帝奕科技有限公司时间：2023-10-07 [举报]

场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，（P沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。

场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。

MOS管为压控元件，你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降小。这就是常说的开关作用，去掉这个控制电压经就截止。

MOS管的性能参数有哪些？
的MOS管能够承受的电流峰值更高。一般情况下我们要判断主板上MOS管的质量高低，可以看它能承受的大电流值。影响MOS管质量高低的参数非常多，像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数，所以在MOS管表面一般只标注了产品的型号，我们可以根据该型号上网查找具体的性能参数。
还要说明的是，温度也是MOS管一个非常重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的提高，MOS管需要承受的电流也随着增强，提供近百A的电流已经很常见了。如此的电流通过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的安全，主板也开始为MOS管加装散热片了。

MOS管三极判定法
MOS管的三个极分别是：G（栅极）,D（漏极）,S（源极），要求栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。
判断栅极G
MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用：假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，假如G信号驱动能力不够，将严峻影响波形跳变的时间。
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大，并且交换表笔后仍为无限大，则证实此脚为G极，由于它和另外两个管脚是绝缘的。

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