内蒙古三极管出售,功率晶体管

来源：深圳市帝奕科技有限公司时间：2023-07-01 [举报]

电子三极管 Triode （俗称 电子管的一种）
双极型 晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型 场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称
V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为 单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）
其中J型场效应管是非绝缘型 场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管。

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，

从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

主要参数
1、额定电压。
2、电流定额：集电极大电流Icm，集电极持续电流Ic。
3、集电极大耗散功率：Pcm（管壳为25℃时）。
4、高结温Tmj（一般为150℃）。
5、开关时间：开通时间、存储时间、下降时间。

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